Принцип работы диода: устройство, характеристика, как пропускает ток при прямом и обратном включении

Устройство

Корпус, выполненный в виде керамического, стеклянного или металлического вакуумного цилиндра, оснащен:

• кристалл;
• анод;
• катод;
• обогреватель.

Кристаллы сделаны из кремния или германия. Цилиндрический анод (плюс) и катод (минус) размещены внутри цилиндра. Нагреватель — это провод внутри катода, который нагревается при подаче электрического тока, нагревая его. После достижения определенного уровня температуры активный слой на катоде генерирует электроны, необходимые для работы.

Сферы применения и назначение

По проделанной работе диоды делятся на универсальные, СВЧ, импульсные, выпрямительные, переключающие, стабилитроны, варикап-диоды.

Устанавливаются в электрооборудовании:

• преобразователи частоты, детекторы, логарифмы;
• выпрямители;
• стабилизаторы;
• ограничители колебаний напряжения;
• переключатели;
• цепи, проводящие ток только в одном направлении;
• индикатор света;
• устройства, требующие отображения информации на дисплеях;
• LED телевизор.

Ссылка! Светодиоды монтируются в световые матрицы (ленты, лампы).

Пробои p-n перехода.

Пробой pn перехода — это явление резкого увеличения обратного тока при достижении обратным напряжением некоторого критического значения. Различают электрическое и тепловое повреждение pn перехода. В свою очередь, электрическое повреждение делится на туннельные и лавинные.

Диоды. For dummies

Введение

Диод — это двухэлектродное электронное устройство, которое имеет разную проводимость в зависимости от направления электрического тока. Диодный электрод, подключенный к положительному полюсу источника тока при открытом диоде (то есть имеет небольшое сопротивление), называется анодом, подключенный к отрицательному полюсу — катодом. (википедия)

Все диоды можно разделить на две большие группы — полупроводниковые и неполупроводниковые. Здесь я остановлюсь только на первом из них. В основе полупроводникового диода лежит такое понятие, как pn переход. Думаю, большинству читателей о нем рассказали на уроках физики в школе, а о ком-то более подробно — в институте. Однако на всякий случай приведу общий принцип его работы.

Два слова о зонной теории проводимости твердых тел

Прежде чем начать разговор о pn переходе, стоит обсудить несколько теоретических моментов.
Считается, что электроны в атоме находятся на разном расстоянии от ядра. Следовательно, чем ближе электрон к ядру, тем сильнее связь между ними и тем больше энергии необходимо приложить, чтобы отправить его в «свободное плавание». Говорят, электроны находятся на разных уровнях энергии. Заполнение этих электронных уровней происходит снизу вверх и на каждом из них может быть не более строго определенного количества электронов (атом Бора). Итак, если уровень заполнен, новый электрон не сможет добраться до него, пока для него не будет доступно место. Чтобы электрон мог перейти на более высокий уровень, ему нужно дать дополнительную энергию. А если электрон «падает» вниз, избыточная энергия выделяется в виде излучения. Электроны могут занимать только строго определенные орбиты с определенными энергиями в атоме. Эти орбиты называются разрешениями. Следовательно, те орбиты (зоны), на которых электрон не может находиться, называются запрещенными. Вы можете прочитать об этом подробнее, перейдя по ссылке на атом Бора выше, здесь мы примем это за аксиому.

Самый высокий уровень энергии называется валентным. Для большинства веществ он заполнен лишь частично, поэтому электроны с внешних подуровней других атомов всегда могут найти на нем место. И они действительно хаотично мигрируют от одного атома к другому, создавая между собой связь. Нижний слой, в котором могут двигаться свободные электроны, называется зоной проводимости. Если валентная зона заполнена частично и содержащиеся в ней электроны могут перемещаться от одного атома к другому, то она совпадает с зоной проводимости. Такая картина наблюдается с проводниками. В полупроводниках валентная зона полностью заполнена, но разница энергий между валентным уровнем и уровнем проводимости мала. Следовательно, электроны могут преодолеть это просто за счет теплового движения. А у изоляторов эта разница большая, и чтобы добиться пробоя, нужно приложить значительную энергию.

Это общая картина энергетической структуры атома. Можно сразу перейти на развязку p-n.

p-n переход

Начнем с того, что полупроводники бывают n-типа и p-типа. Первые получают путем легирования четырехвалентного полупроводника (чаще всего кремния) пятивалентным полупроводником (например, мышьяком). Эта пятивалентная примесь называется донором. Его атомы образуют четыре химические связи с атомами кремния, а пятый валентный электрон остается свободным и может покинуть валентную зону в зоне проводимости, если, например, немного повысить температуру вещества. Следовательно, в проводнике n-типа возникает избыток электронов.
Полупроводники P-типа также получают легированием кремния, но уже с трехвалентной примесью (например, бором). Эта примесь называется акцептором. Он может образовывать только три из четырех возможных химических связей. А оставшуюся незаполненную валентную связь обычно называют дырой. Это не настоящая частица, а абстракция, принятая для более удобного описания процессов, происходящих в полупроводнике. Его заряд считается положительным и равен заряду электрона. Таким образом, в полупроводнике p-типа мы получаем избыток положительных зарядов.

В обоих типах полупроводников, помимо основных носителей заряда (электроны для n-типа, дырки для p-типа), неосновные носители заряда присутствуют в большем количестве: дырки для n-области и электроны для p-области.

Если полупроводники ручки расположены рядом, на границе между ними появится диффузный ток. Это произойдет потому, что, с одной стороны, у нас слишком много отрицательных зарядов (электронов), а с другой — положительных (дырок). В результате электроны потекут в область вблизи границы p-полупроводника. А поскольку дырка находится там, где отсутствует электрон, будет ощущение, что дырки движутся в противоположном направлении — вплоть до границы n-полупроводника. Попадая в области пера, электроны и дырки рекомбинируют, что приводит к уменьшению количества мобильных носителей заряда. В этом контексте положительно и отрицательно заряженные неподвижные ионы становятся ясно видимыми на границах полупроводников (из которых дырки и рекомбинированные электроны «уходят»). В результате мы получаем две заряженные области, плотно прилегающие к границе раздела веществ. Это pn-переход, который также называют обедненным слоем из-за низкой концентрации в нем подвижных носителей заряда. Естественно, здесь возникнет электрическое поле, направление которого препятствует дальнейшей диффузии электронов и дырок. Возникает потенциальный барьер, который большинство носителей заряда сможет преодолеть, только если у них будет для этого достаточно энергии. С другой стороны, генерируемое электрическое поле помогает неосновным носителям. В результате через переход будет течь ток в противоположном диффузном направлении. Этот ток называется дрейфовым. При отсутствии внешних воздействий диффузный и дрейфовый токи уравновешиваются и поток заряда прекращается.

Ширина обедненной области и контактная разность потенциалов между границами перехода (потенциальный барьер) являются важными характеристиками pn перехода.

Если приложить внешнее напряжение так, чтобы его электрическое поле «поддерживало» диффузный ток, потенциальный барьер уменьшится, и область истощения сократится. В результате ток будет легче проходить через переход. Это подключение внешнего напряжения называется прямым смещением.

Но можно подключить и наоборот, чтобы внешнее электрическое поле поддерживало дрейфовый ток. Однако в этом случае ширина зоны истощения увеличится, а потенциальный барьер увеличится. Переход «закроется». Это соединение называется обратным смещением. Если значение приложенного напряжения превышает определенное предельное значение, произойдет прерывание перехода и через него будет протекать ток (электроны будут ускорены до такой степени, что могут проскользнуть через потенциальный барьер). Это предельное значение называется напряжением пробоя.

Вот и все, конец теории, пора переходить к ее практическому применению.

Диоды, наконец-то

Диод — это, по сути, одиночный pn-переход. Если он подключен к прямому смещению, ток течет через него, а если он подключен к обратному, он не течет (на самом деле небольшой дрейфовый ток все равно остается, но им можно пренебречь). Этот принцип отражен в условном обозначении диода: если ток направлен по стрелке треугольника, то ему ничего не мешает, а если наоборот «хлопает» по вертикали. Эта вертикальная линия на диоде-радиоэлементах обозначена широкой полосой по краю.
Помню, когда я был тупым студентом и сначала пришел работать в типографию печатных плат, то сначала я ставил диоды так, как нравится Богу. Только потом я узнал, что правильное положение этого элемента играет очень важную роль., очень показательно. Но это все, лирическое отступление.

Диоды имеют нелинейную вольт-амперную характеристику.

Области применения диодов

1. Выпрямление переменного тока. Он основан как раз на свойстве диода «запираться» при обратном смещении. Диод как бы «отсекает» отрицательные полуволны.
2. В качестве переменной емкости. Эти диоды называются варикапами. Здесь используется зависимость барьерной емкости перехода от обратного смещения. Чем выше его значение, тем больше обедненная область pn перехода. Его можно представить как плоский конденсатор, якоря которого являются границами области, а сам действует как диэлектрик. Следовательно, чем толще «диэлектрический слой», тем меньше барьерная емкость. Таким образом, изменяя приложенное напряжение, можно электрически изменять емкость варикапа.
3. Для стабилизации напряжения. Принцип работы таких диодов заключается в том, что даже при значительном увеличении внешнего падения напряжения падение напряжения на диоде немного увеличится. Это верно как для прямого, так и для обратного смещения. Однако напряжение пробоя обратного смещения намного выше прямого напряжения диода. Поэтому, если необходимо поддерживать стабильно высокое напряжение, лучше снова включить диод. А чтобы он оставался работоспособным, несмотря на пробой, необходимо использовать диод особого типа — стабилитрон. В режиме прямого смещения он будет работать как обычный выпрямительный диод. Но при обратном смещении он не будет проводить ток, пока приложенное напряжение не достигнет так называемого напряжения стабилитрона, при котором диод может проводить значительный ток, и напряжение будет ограничено уровнем напряжения стабилитрона.
4. Как «ключ» (коммутационное устройство). Эти диоды должны иметь возможность очень быстро открываться и закрываться в зависимости от приложенного напряжения.
5. В качестве детекторов излучения (фотодиодов). Кванты света передают дополнительную энергию атомам в n-области, что приводит к появлению большого количества новых электронно-дырочных пар. Когда они достигают pn-перехода, дырки переходят в p-область, и электроны накапливаются на краю перехода. Таким образом, происходит увеличение дрейфового тока и между областями пера возникает разность потенциалов, называемая фотоЭДС. Его размер тем больше, чем больше световой поток.
6. Для создания оптического излучения (светодиод). Когда дырки и электроны рекомбинируют (прямая поляризация), последние переходят на более низкий энергетический уровень. «Избыток» энергии высвобождается в виде кванта энергии. И в зависимости от химического состава и свойств того или иного полупроводника он излучает волны того или иного диапазона. Эффективность излучения также зависит от состава.

Работа диода и его вольт амперная характеристика

По конструкции диод представляет собой кристалл с двумя областями с разной проводимостью (перо). Область с p-проводимостью — анод (+), с n-проводимостью — катод (-). В аноде заряд находится в дырках, в катоде, в электронах. Кристалл покрыт свинцом.

В структуре определены 2 положения:

• открытым;
• закрыто.

В открытом положении электропроводность хорошая, в закрытом — очень плохая.

Вольт-амперная характеристика называется графиком. Вертикальная ось отражает основной и встречный ток, горизонтальная ось отражает основное и встречное напряжение.

Постоянный ток быстро увеличивается параллельно с увеличением напряжения. Противоположный ток увеличивается медленнее.

Если постоянный ток слишком велик, молекулы кристалла нагреваются. При отсутствии системы охлаждения существует вероятность разрушения кристаллической решетки. В схемах прямой поток ограничивается последовательным резистором.

Ссылка! Прямое напряжение не зависит от электрического тока. Для кремниевых полупроводников она не превышает 1,5В, для германиевых изделий — 1В.

Прямое включение диода

Диод открывается после подачи напряжения, параметры основного тока зависят от характеристик кристалла и напряжения. Электроны устремляются из области n в область p, а дырки — из области p в область n. Частицы встречаются на границе (pn переход), начинается процесс поглощения (рекомбинации), сопротивление и напряжение уменьшаются.

Вокруг pn образуется поле, направленное в противоположную сторону. Электроны движутся и возвращаются, появляется дрейфующий ток с постоянными параметрами, зависящими только от количества заряженных частиц. При этом обратное напряжение увеличивается, переходя в фазу насыщения.

Основной ток нарастает быстрее при повышении температуры во время работы устройства.

Некоторые популярные диоды

Определение и типы диодов

Проще говоря, диод можно понимать как активный электрический элемент, который проводит ток только в одном направлении. Как клапан в гидравлике. Существует несколько типов диодов, различающихся как физическим принципом работы, так и материалом основы. В очень общих чертах они делятся на полупроводники и вакуум. Итак, диоды бывают:

— пустые (они же кенотроны);

— на основе pn перехода между полупроводниками разного типа проводимости: кремниевыми (Si) и карбидокремниевыми (SiC) диодами;

— на основе контакта Шоттки между металлом и полупроводником.

Вакуумные диоды используются очень редко, только в специальных приложениях, например, в высоковольтной и высокочастотной технике. Самыми популярными диодами являются кремниевые и диоды Шоттки.

Помимо физической природы, диоды классифицируют по функциональному назначению:

— выпрямительные диоды, используемые, как правило, для выпрямления низкочастотного сетевого напряжения (50 Гц). Как правило, это кремниевые, дешевые диоды. Устанавливаются как непосредственно на входе бестрансформаторных импульсных источников питания, так и после трансформатора в трансформаторных источниках питания.

— быстродействующие кремниевые диоды — используются в составе импульсных источников питания с высокими значениями обратного напряжения (100-1000 вольт). Они отличаются малым временем восстановления обратной проводимости, составляющим менее 200 нс. Внутри класса они имеют условную подклассификацию Fast (500-150 нс), UltraFast (70-50 нс), HiperFast (35-20 нс).

— кремниевые импульсные диоды — используются в составе функциональных (несиловых) схем. Типичный пример — диод 1N4148; Их отличает низкие рабочие токи (миллиампер) и высокая скорость (время обратного восстановления 1N4148 — 4 нс).

— высоковольтные диоды: представляют собой последовательное соединение нескольких (5-20 штук) кристаллов кремниевых диодов в одном корпусе. При этом максимальное обратное напряжение составляет десятки киловольт, а ток обычно небольшой и не превышает 1 ампер. Используется в ряде специальных приложений. Быстродействие этих диодов обычно невысокое.

Отдельно стоит выделить диоды Шоттки, которые используются как функциональные (сигнальные) диоды, так и как силовые диоды. Их отличительные особенности — высокая скорость, малое падение напряжения (0,3-0,5 В) по сравнению с кремниевыми диодами (1-1,2 В). К недостаткам можно отнести относительно низкое обратное напряжение (20-100В), чувствительность к перенапряжениям, значительный обратный ток. Диоды Шоттки часто используются в качестве выпрямительных диодов в высокочастотных преобразователях с низким выходным напряжением.

Диоды чисто радиочастотных микроволновых приложений, варикапы, микширование и т.д. Здесь не рассматриваются, поскольку это выходит за рамки данного описания.

Обозначение диода показано на рисунке VD.1

Рисунок VD.1 — Условное обозначение диода на основе pn перехода и диода Шоттки

Электрод, через который протекает ток, называется анодом, а электрод, от которого протекает ток, называется катодом. Эти исторические названия связаны с вакуумными диодами, в которых электроны испускались катодом накала и принимались анодом. Диод символически указывает направление тока.

Функциональные применения диода

— выпрямление переменного тока в составе некоторых выпрямителей (в том числе умножителей напряжения);

— защита от перенапряжения в цепях ограничения уровня и демпфера;

— в пиковых детекторах на базе операционных усилителей;

— в стабилизаторах низкого напряжения (используется прямое падение напряжения);

— в цепях на коммутируемых конденсаторах, в том числе в цепях питания собственных нужд;

— схемы выполнения операций логического ИЛИ (рисунок VD.3).

Вот несколько примеров использования диодов.

Рисунок VD.2 — Схема двухполупериодного выпрямителя

Рисунок VD.3 — Схема реализации логической операции ИЛИ

— схемы ограничения амплитуды сигнала (рисунок ВД.4).

Рисунок VD.4 — Схема ограничения амплитуды сигнала

Характеристики диодов

Основной характеристикой диода является его ВАХ — вольт-амперная характеристика — зависимость тока, пропускаемого диодом, от напряжения на нем. Это не линейно, а, по сути, экспоненциально.

Форма ВАХ диода (рисунок VD.5) зависит от температуры: при нагревании падение прямого напряжения уменьшается, обратный ток увеличивается, а напряжение пробоя уменьшается.

Рисунок VD.5. Форма вольт-амперной характеристики диода

Его производные следуют из вольт-амперной характеристики:

— прямое падение напряжения на диоде VF (при заданных токе и температуре);

— обратный ток утечки IRM (при заданных обратных напряжении и температуре);

— максимальное обратное напряжение VR (при заданной температуре).

Площадь p-n перехода, размер кристалла и конструкция радиатора определяют силовые характеристики диода:

— максимальный продолжительный рабочий ток;

— максимальный импульсный ток (для заданной длительности импульса);

— максимальная рассеиваемая (рассеиваемая мощность);

— термическое сопротивление корпуса.

Динамические характеристики диода, определяющие его работоспособность, следующие:

— время восстановления при резком изменении напряжения с прямого на обратное;

— пропускная способность.

На рисунках VD.6 — VD.8 показаны экспериментально измеренные ВАХ обычных типов диодов (для сравнения представлены ВАХ кремниевых диодов и диода Шоттки).

Рисунок VD.6 — Экспериментально измеренная вольт-амперная характеристика кремниевого диода 1N4148

Рисунок VD.7 Экспериментально измеренная вольт-амперная характеристика кремниевого диода FR157

Рисунок VD.8 Экспериментально измеренная вольт-амперная характеристика диода Шоттки 1N5819

Основные параметры реальных диодов

1. Пиковое повторяющееся обратное напряжение VRRM — это максимальное значение импульсного обратного напряжения, приложенного к диоду.

2. Пиковое рабочее обратное напряжение VRWM — это максимальное обратное напряжение, подаваемое на диод во время работы.

3. Напряжение блокировки постоянного тока VR — это максимальное напряжение постоянного тока, подаваемое на диод. Выше этого напряжения начинается разрыв. Это соответствует началу излома на обратной ветви ВАХ.

NB: На практике все перечисленные типы напряжения равны между собой и при проектировании схем необходимо не превышать напряжение на диоде на это значение.

4. Максимальное действующее значение обратного напряжения VR (RMS) — это максимальное значение действующего напряжения в цепи переменного тока, превышение которого приводит к пробою диода. Фактически мы имеем в виду переменное напряжение синусоидальной формы.

5. Средний выпрямленный выходной ток IO — это максимальный среднеквадратичный ток, протекающий через диод в стационарном режиме.

6. Повторяющийся пиковый прямой ток IFRM — это максимальная амплитуда импульсного периодического тока, который проходит через кристалл диода. Обычно указывается длительность импульсов и частота следования.

7. Максимальный непериодический импульсный ток (непериодический прямой пиковый ток) IFSM — максимальная амплитуда непериодического тока импульса, проходящего через кристалл диода. Как правило, указывается длительность импульса.

8. Прямое напряжение VFM — падение напряжения на диоде прямого смещения (разомкнутое состояние). Как правило, это указывается при определенном значении прямого тока.

9. Peak Reverse Current MRI — это максимальный обратный ток через диод. Он указывается при максимальном обратном напряжении на диоде и при определенном значении температуры.

10. Емкость pn перехода (типовая емкость перехода) Cj — паразитная емкость pn перехода диода. Она сильно зависит от приложенного обратного напряжения, поэтому в техпаспорте помимо среднего значения обычно приводится зависимость емкости от обратного напряжения.

11. Тепловое сопротивление кристалл — воздух (типичное тепловое сопротивление окружающей среды) RθJA — тепловое сопротивление между кристаллом (pn переход) диода и окружающим воздухом. Это зависит от типа корпуса.

12. Максимальная температура напряжения блока постоянного тока TA — максимальная рабочая температура, при которой поддерживается указанное максимальное обратное напряжение.

13. Полная рассеиваемая мощность Ptot — это максимальная мощность, рассеиваемая корпусом диода.

14. Параметр максимальной энергии, поглощаемой кристаллом без разрушения (Оценка плавления) I2t — произведение квадрата максимального импульсного тока через диод на его длительность. Это отношение, измеряемое в A2s (ампер в квадрате в секунду), используется при выборе схем защиты от перегрузки (предохранителей).

15. Время обратного сброса trr — время, в течение которого диод после подачи обратного напряжения переходит в закрытое состояние (обратная проводимость).

Максимальные ток и мощность диода

Динамические характеристики диода. Восстановление обратной проводимости. Барьерная емкость диода

Быстродействие диода, то есть способность быстро восстанавливать обратную проводимость, является важной характеристикой для диодов, работающих в условиях быстрой обратной полярности подаваемого на диод напряжения — в высокочастотных выпрямителях, цепях повышающего питания, цепях обнаружение и ряд других.

На рисунке VD.9 показан один из типовых фрагментов электрических схем с диодами и полупроводниковыми переключателями. Эта схема описывает жесткий режим восстановления обратной проводимости диода. Используя эту схему в качестве примера, мы объясним процесс восстановления обратной проводимости диода EE33D — Подключение силовых электронных схем, 2 причины, по которым мягкий сброс Trr важен при подключении высоковольтных диодов, Понимание обратное восстановление диодов и его влияние на коммутационные потери. Питер Хааф, Джон Харпер. Семинар Fairchild Power 2007. Временные диаграммы токов и напряжений, описывающие процессы в представленной цепи, показаны на рисунке VD.10.

Рисунок VD.9. Схема подключения диода для объяснения эффекта обратного восстановления

Рисунок VD.10. Временные диаграммы напряжений и токов в цепях, поясняющие процесс восстановления обратной проводимости диода

Для упрощения понимания процессов гашения диодов возьмем индуктивность L в цепи достаточно большой, чтобы фактически играть роль источника тока. В начальный момент полупроводниковый ключ замкнут и ток индуктивности полностью замкнут через диод. После подачи управляющего импульса на затвор транзистора и превышения определенного порогового напряжения через клавишу ISW происходит постепенное увеличение тока, начиная с момента времени tswitch. В этом случае ток, протекающий через ID-диод, постепенно уменьшается, поскольку ток индуктивности начинает частично «сливаться» через размыкающий ключ. В какой-то момент (начало интервала tA), когда ток индуктивности полностью замкнут через переключатель (IL = ISW), ток через диод изменит направление. В первой половине импульса обратного тока (период tA) емкость pn перехода разряжается, при этом напряжение на диоде остается положительным в течение некоторого времени, а обратный ток достигает своего максимума. Также обратный ток через диод начинает уменьшаться (период tB), а обратное напряжение повышается до напряжения источника VDC.

Практически важной характеристикой является форма кривой обратного тока в момент восстановления обратной проводимости (рисунок VD.10). Кривая используется для определения времени восстановления и «мягкости восстановления». Кривая обратного тока имеет два характерных периода:

— период tA — время от начала импульса обратного тока (пересечение нулевой линии током) до максимального значения обратного тока IRRM. Это соответствует разряду накопленных зарядов в так называемой области опустошения pn перехода.

— период tB — время, которое проходит между моментом, соответствующим максимальному обратному току IRRM, и моментом, когда ток уменьшается на 25% от максимального достигнутого значения.

Время обратного восстановления tRR определяется формой сигнала обратного тока (рисунок VD.10) как время между переходом тока через ноль (начало обратного тока) и моментом, когда обратный ток падает на 25% от своего достигнуто максимальное значение. Время восстановления — это интуитивно понятный параметр, который характеризует время, необходимое диоду для восстановления своих непроводящих свойств. Время восстановления обратной проводимости tRR равно сумме времен периодов tA и tB:

Максимальное значение обратного тока IR связано с длительностью периода tA и скоростью затухания тока:

Коэффициент мягкости SF является критерием, определяющим скорость отсечки обратного тока. Если ток отключается слишком резко, это может вызвать нежелательные перенапряжения из-за паразитных индуктивностей в цепях. Иногда этот эффект используется в генераторах импульсов на основе специализированных SOS-диодов. В качестве критерия «мягкости» я использую так называемый «коэффициент мягкости» SF, определяемый как отношение длительностей периодов tB и tA :

Для обычных диодов tA намного больше tB, для «мягких» импульсных диодов, наоборот, tB намного больше tA. «Фактор мягкости» SF может быть определен из таблицы данных диода на основе представленных форм сигналов восстановления обратной проводимости. Обычно для сверхбыстрых импульсных силовых диодов характеристическое значение SF равно 1, для обычных диодов значение SF может составлять 0,2-0,6.

Заряд обратного восстановления QRR — это обратный заряд, который должен пройти через переход диода, чтобы перевести его из состояния проводимости в закрытое состояние. Заряд обратного восстановления — основной параметр диода, определяющий его динамические характеристики. По форме импульса обратного тока этот заряд равен:

От чего максимальный ток определяется соотношением:

Приравнивая выражения для IR, получаем:

Преобразуя это выражение, получаем:

Учитывая, что tA и tB связаны через коэффициент мягкости SF:

У нас есть:

Откуда мы выражаем tA:

Следовательно:

Откуда мы получаем практически важные отношения:

— для расчета времени восстановления обратной проводимости tRR :

— и для расчета максимального обратного тока IRRM :

По представленным выражениям рассчитаны динамические характеристики диода.

Барьерная емкость диода — это собственное значение емкости pn перехода при обратном смещении (закрытое состояние). В дополнение к описанному выше инерционному процессу «переключения» диода в непроводящее состояние, диод при приложении к нему обратного напряжения (диод) имеет собственное значение барьерной емкости, которое зависит от напряжения, которое также важно учитывать при расчете динамических режимов. Емкость пропорциональна площади pn перехода, на практике это означает, что более мощные диоды с более высоким номинальным током будут иметь более высокое значение емкости. В действительности значение емкости непостоянно и существенно зависит от приложенного напряжения.

Расчет тепловых потерь в диоде на переключение

При восстановлении проводимости на диод подается обратное напряжение и через него проходит определенный импульс тока длительностью trev. Таким образом, часть энергии выделяется в кристалле диода:

Общая тепловая мощность пропорциональна частоте импульсов f.

Основное выделение энергии происходит в период tB, когда напряжение на диоде значительно превышает падение напряжения постоянного тока (как в период tA). Предполагая линейную форму спада тока и увеличения обратного напряжения, получаем:

Выражение напряжения на диоде будет:

Выражение для тока через диод будет:

Выражение мощности, выделяемой на диоде, будет:

Умножая VVD (t) и IVD (t), получаем:

Упрощая это, получаем выражение для мощности динамических потерь PVD_trans «на коммутацию»:

где это находится:

VDC — обратное напряжение, (напряжение питания);

f — рабочая частота;

IRRM — максимальный обратный ток, рассчитываемый по формуле:

здесь: QRR-заряд обратного восстановления (Reverse Recovery Charge) — представлен в техническом паспорте, скорость затухания тока di / dt определяется характеристиками схемы, а «коэффициент мягкости» SF может быть определен из технического паспорта диодов на основе представленных временных осциллограмм восстановления обратной проводимости. Обычно для импульсных диодов характерное значение SF равно 1.

tB — это время, которое проходит между моментом, соответствующим максимальному обратному току IRRM, и моментом, когда ток уменьшается на 25% от максимального достигнутого значения. Учитывая связь между tA и tB через «мягкий фактор» SF, получаем:

Отсюда tB можно рассчитать из соотношения:

Учитывая, что в большинстве случаев SF≈1, то в первом приближении tB можно определить как:

В окончательном выражении для мощности динамических потерь диода PVD_trans «на переключение» складываем»:

Упростим это отношение:

Результирующее выражение для мощности динамических потерь PVD_trans «на переключение» выглядит следующим образом:

где это находится:

QRR — заряд обратного восстановления;

VDC — обратное напряжение, (напряжение питания);

f — рабочая частота;

SF — «коэффициент мягкости» диода (в первом приближении можно принять равным 1).

В некоторых случаях в таблице данных не указывается стоимость платы за обратное восстановление QRR, но она предоставляет:

— зависимость тока восстановления обратной проводимости от IRRM от скорости затухания тока di / dt;

— зависимость времени восстановления обратной проводимости tRR от скорости затухания тока di / dt.

В этом случае мощность динамических потерь PVD_trans рассчитывается из соотношения:

где это находится:

VDC — обратное напряжение, (напряжение питания);

IRRM (di / dt) — ток восстановления обратной проводимости из IRRM при заданной скорости спада тока di / dt;

tRR (di / dt) — зависимости времени восстановления обратной проводимости tRR при заданной скорости спада тока di / dt.

SF — SF — «коэффициент мягкости» диода (в первом приближении можно принять равным 1);

f — рабочая частота.

Обратная ветвь ВАХ – напряжение пробоя, обратный ток

По мере увеличения обратного напряжения, приложенного к диоду, обратный ток монотонно увеличивается. В этом случае для каждого диода существует обратное напряжение, при достижении которого обратный ток резко возрастает, а напряжение на диоде быстро падает. При таком пороговом напряжении происходит пробой диода — в большинстве случаев необратимое изменение внутренней структуры диода, сопровождающееся нарушением целостности pn перехода. Следствие выхода из строя — выход из строя диода. Исключение составляют лавинные диоды, пробой которых обратимый.

Обратный ток увеличивается с повышением температуры, и напряжение пробоя также уменьшается с повышением температуры.

Для кремниевых диодов, работающих при нормальной температуре, тепловая мощность, генерируемая приложенным обратным напряжением, незначительна. Однако при более жестком температурном режиме и более высоких значениях обратного напряжения эта мощность может иметь значительную величину, сравнимую с потерями мощности в проводящем состоянии.

Для диодов Шоттки обратный ток значительно больше, чем для кремниевых диодов, и его все же необходимо учитывать в расчетах.

Мощность, рассеиваемая диодом при обратном смещении, равна произведению напряжения VVD_rev, приложенного к диоду, и обратного тока, проходящего через него IVD_rev под действием этого напряжения:

Пример:

— для диода MUR1100E при температуре 100 ° С обратный ток около 600 мкА, при подаче на диод обратного напряжения 800 В выделяемая тепловая мощность составляет 0,48 Вт!

— для диода серии УС1 максимальный обратный ток составляет 150 мкА (при температуре 100 ° С), а при обратном напряжении 1000 В выделяемая тепловая мощность составляет 0,15 Вт.

важно, что здесь работает принцип положительной обратной связи: при повышении температуры выделяемая мощность увеличивается, что в свою очередь приводит к повышению температуры.

Таким образом, тепловой режим диода, работающего в условиях переменного тока полярности, представляет собой сумму мощности, высвобождаемой при прохождении прямого тока, мощности, высвобождаемой в диоде при изменении направления тока, и мощности, высвобождаемой при обратном смещении:

где это находится:

PVD_total — общая мощность, рассеиваемая диодом;

PVD_stat + — мощность, выделяемая при прохождении постоянного тока;

PVD_stat- — мощность, выделяемая при прохождении обратного тока;

PVD_trans — мощность, рассеиваемая на диоде в результате переходных процессов.

Обратное включение диода

Если к минусу полупроводника подключить плюс блока питания, а к плюсу — диод перестает работать (замыкается). Заряженные частицы начинают удаляться от pn-области, она расширяется, сопротивление увеличивается

При увеличении обратного напряжения до 100 В электрический ток увеличивается в обратном направлении. Рост заметно увеличивается, если напряжение превышает максимально допустимое для границы pn. Обратный ток нагревает кристалл в диоде, переход прекращается и нормальная работа устройства прекращается. После снятия напряжения около полюсов образуется диффузия.

Внимание! Во время нормальной работы обратный ток невелик, поэтому им пренебрегают, учитывая, что полупроводниковый диод является односторонним проводящим элементом.

Прямое и обратное напряжение

Во время работы (в открытом состоянии) основное напряжение в диоде, сопротивление и амплитуда электрического тока зависят от его величины. В процессе замыкания через полупроводник в обратном направлении проходит ток, создается напряжение, которое помогает увеличить сопротивление до нескольких тысяч кОм.

Если полупроводник работает при переменном напряжении, он открывается на положительной полуволне и закрывается на отрицательной половине. Это свойство позволяет использовать полупроводники в выпрямителях.

Основные неисправности диодов

Внимание! Если диодные полупроводники перестали работать, необходимо сначала узнать, истек ли их срок службы.

В противном случае неисправность вызвана другой причиной:

• нарушение пломбы;
• обрыв в переходе, превративший устройство в изолятор:
• тепловой разрыв;
• электрическая неисправность:
• туннель;
• лавина.

Если уплотнение сломано, возникает утечка, которая мешает нормальной работе.

Пробой p-n перехода

Неисправностью называется увеличение электрического тока в обратном направлении после достижения индикатора обратного напряжения во время работы, которое является максимально допустимым для устройства. Если оно превышено, встречный электрический ток резко возрастает при небольшом изменении напряжения. После прерывания перехода остается только одно направление потока, полупроводник превращается в проводник.

Эту неисправность можно определить с помощью мультиметра, который определяет сопротивление и подает сигнал при прохождении электрического тока.

Электрический пробой

Электрический туннель или лавинный сбой можно устранить, если вовремя принять необходимые меры.

Причина сбоя в электросети — сильный электрический ток в переходе или перегрев при отсутствии отвода тепла.

Пробой туннеля происходит, если во время работы на диод подается слишком высокое напряжение. Величина встречного электрического тока увеличивается, напряжение уменьшается, и электроны проходят через барьер, если его высота меньше их энергии.

Эта неисправность может быть вызвана:

• слишком малая толщина pn-области (меньше длины пути электрона);
• обратный ток насыщения более 108 В / м;
• наличие свободных мест в области дырок, через которые проходят электроны.

Лавинный разрыв — увеличение во время работы встречного электрического тока при небольшом повышении напряжения. Причина образования — усиление ионизации в pn-области, что вызывает увеличение количества заряженных частиц. Электроны теряют свои нормальные характеристики.

Важно! Отказы туннельного и лавинного типа обратимы, так как не повреждают полупроводник (при своевременном снижении напряжения свойства сохраняются).

Тепловой пробой

Эта неисправность часто вызвана недостаточным тепловыделением, что способствует перегреву спая во время работы.

Как следствие:

• в кристалле растет амплитуда атомных колебаний;
• электроны взаимодействуют с проводящей областью;
• температура быстро повышается;
• запускается процесс модификации кристаллической структуры.

Полупроводник разрушается, и процесс необратим.